研究者データベース

松本 貴裕 (マツモト タカヒロ)

  • 芸術工学研究科産業イノベーションデザイン領域 教授
メールアドレス: matsumotosda.nagoya-cu.ac.jp
Last Updated :2024/05/25

研究者情報

学位

  • 博士(工学)(東京農工大)

J-Global ID

研究キーワード

  • 光物性   量子エレクトロニクス   ナノ材料   

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 熱工学
  • エネルギー / 量子ビーム科学
  • ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学
  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学
  • ナノテク・材料 / ナノ構造物理
  • ナノテク・材料 / ナノ構造化学

経歴

  • 2015年05月 - 現在  名古屋市立大学芸術工学研究科教授
  • 2000年10月 - 2015年04月  スタンレー電気株式会社研究開発センター主任技師
  • 1996年02月 - 2000年09月  科学技術振興機構ERATO 舛本単一量子点プロジェクト研究員
  • 1988年04月 - 1996年01月  新日本製鐵株式会社エレクトロニクス研究所研究員

学歴

  • 1986年04月 - 1988年03月   東京大学   大学院理学研究科   物理学専攻修士課程
  • 1982年04月 - 1986年03月   東京理科大学   理学部第一部   物理学科

所属学協会

  • 日本光医学・生物学会   米国光学会   日本中間子学会   公益社団法人応用物理学会   

研究活動情報

論文

書籍

  • Graphene Simulation
    InTech 2011年 ISBN: 9789533075563 
    Field Emission from Graphene Nanostructure, Chapter 8
  • Carbon Nanotube and Related Field Emitters
    Wiley-Blackwell 2010年 ISBN: 9783527327348 
    Graphite Nanoneedle Field Emitter, Chapter 13
  • Properties of Porous Silicon
    INSPEC 1997年 ISBN: 0852969325 
    Nonlinear OpticalProperties of Porous Silicon, Chapter 8.4
  • Porous Silicon
    World Scientific 1994年 ISBN: 9789810216344 
    Porous Silicon: Microstructure, Optical Properties, and Application to Light Emitting Diodes, Chapter 18

講演・口頭発表等

  • Demonstration of GaInN-based Laser Pumped by an Electron Beam  [通常講演]
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 2014年 
    Invited paper
  • Light Sources using Field Emitter Technologies  [通常講演]
    10th International Meeting on Information Display/International Display Manufacturing Conference and Asia Display 2010 2010年 
    Invited paper
  • Field Emission and Ion Microscopy about Cloverleaf Pattern  [通常講演]
    22nd International Vacuum Nanoelectronics Conference 2009年 
    Invited paper
  • Emission Characteristics and Application of Semiconductor Field Emitters  [通常講演]
    12th International Conference on Solid Films and Surfaces 2004年 
    Invited paper
  • Stabilization of Porous Silicon by Deuterium Termination  [通常講演]
    International Workshop on the Role of Hydrogen and Deuterium in Hot Electron Semiconductor Device Degradation 1998年 
    Invited paper
  • Isotope Energy Shift of Luminescence in Hydrogen- and Deuterium Terminated Porous Silicon  [通常講演]
    The 5th IUMRS International Conference in Asia 1998年 
    Invited paper
  • SiC/Porous Si Junctions  [通常講演]
    7th International Conference on Solid Films and Surfaces 1994年 
    Invited paper
  • Study of Photo- and Electro- Luminescence in Porous Silicon  [通常講演]
    International Workshop on Light Emission and Electronic Properties of Nanoscale Silicon 1993年 
    Invited paper

MISC

産業財産権

  • PCT/JP2013/067234(国際特許):電子線励起による深紫外レーザ光源  
    松本貴裕, 岩山章
  • WO2008/078494(国際特許):画像表示装置  
    松本貴裕
  • WO2008/078477(国際特許):X線発生装置  
    松本貴裕, 中村奨, 明神紀勝
  • WO2013/081127(国際特許):光源装置,および,フィラメント  
    松本貴裕, 斎藤貴夫, 川上康之
  • WO2013/099759(国際特許):光源装置,および,フィラメント  
    川上康之, 松本貴裕, 斎藤貴夫, 江本渓
  • WO2013/099760(国際特許):光源装置,および,フィラメント  
    松本貴裕
  • 特開平2-276961:レーザ超音波探傷装置  
    松本貴裕, オリバー・ビー・ライト, 川島捷宏
  • 特開平4-9687:レーザドップラ速度計  
    玉木輝幸, 松本貴裕, 俵口隆雄
  • 特許2686674:高温弾性率測定装置  
    松本貴裕, 俵口隆雄
  • 特開平4-178538:試料内に超音波を発生・検出させる方法及びその装置  
    松本貴裕
  • 特許2717600:薄膜評価装置  
    松本貴裕
  • 特開平4-361580:超短パルス固体レーザ装置  
    松本貴裕, 植田健司
  • 特開平4-361581:超短パルス固体レーザ装置  
    松本貴裕, 植田健司
  • 特開平4-369462:微粒子分散系内部の微粒子の反応を測定する方法  
    玉木輝幸, 松本貴裕
  • 特開平5-126866:超高速電気信号の測定方法及び装置  
    松本貴裕, 植田健司, 長谷川昇
  • 特開平5-206514:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平5-226431:電気信号測定装置  
    長谷川昇, 植田健司, 松本貴裕
  • 特開平5-226432:電気信号測定装置  
    植田健司, 長谷川昇, 松本貴裕
  • 特開平5-275743:多孔質シリコンの発光効率を増加させる方法  
    松本貴裕, 二木登史郎, 三村秀典
  • 特開平5-288610:超高速光信号の測定方法及び装置  
    松本貴裕
  • 特開平6-82492:電気光学サンプリング装置及びそれに用いる電気光学プローブ  
    植田健司, 松本貴裕, 玉木輝幸, 長谷川昇
  • 特開平6-97418:表示装置  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-97419:光送信素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-97420:光結合素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-97486:光結合回路素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-97491:光-光変換素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-97499:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-97500:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-102296:電圧分布測定装置  
    玉木輝幸, 長谷川昇, 植田健司, 松本貴裕
  • 特開平6-132564:多孔質シリコン及び発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-194426:電圧分布測定装置  
    長谷川昇, 植田健司, 松本貴裕, 玉木輝幸
  • 特開平6-281707:電圧分布測定装置  
    長谷川昇, 植田健司, 松本貴裕, 玉木輝幸
  • 特開平6-283753:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-283754:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-283755:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-283759:発光素子  
    三村秀典, 二木登史郎, 松本貴裕
  • 特開平6-291036:レーザーアニーリング方法  
    植田健司, 松本貴裕, 玉木輝幸, 長谷川昇, 今井浩文
  • 特開平6-302531:レーザードーピング方法  
    玉木輝幸, 植田健司, 松本貴裕, 長谷川昇
  • 特開平6-302536:レーザーアニーリング方法  
    玉木輝幸, 植田健司, 松本貴裕, 長谷川昇
  • 特開平6-310816:シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子  
    松本貴裕, 二木登史郎, 三村秀典, 玉木輝幸
  • 特開平7-64138:画像演算処理装置  
    松本貴裕, 長谷川昇, 植田健司, 三村秀典
  • 特開平7-64140:光論理演算素子  
    松本貴裕, 長谷川昇, 玉木輝幸, 植田健司
  • 特開平7-77674:光変調器  
    松本貴裕, 植田健司, 玉木輝幸, 三村秀典
  • 特開平7-92434:光変調器  
    松本貴裕, 長谷川昇, 植田健司, 三村秀典
  • 特開平7-92435:光信号発生装置  
    松本貴裕, 玉木輝幸, 植田健司, 三村秀典
  • 特開平7-92505:エレクトロクロミックフィルター及びそれを用いた表示装置  
    松本貴裕, 長谷川昇, 植田健司, 三村秀典
  • 特開平7-92520:光双安定素子  
    松本貴裕, 長谷川昇, 玉木輝幸, 三村秀典
  • 特開平7-99356:レーザー出力均一化素子及びこれを用いたレーザーアニーリング装置  
    植田健司, 松本貴裕, 玉木輝幸, 長谷川昇
  • 特開平7-104328:光ディフラクター  
    松本貴裕, 植田健司
  • 特開平7-104331:フォトリフラクティブ結晶  
    松本貴裕, 玉木輝幸, 植田健司, 三村秀典
  • 特開平7-175094:光周波数シフター  
    植田健司, 松本貴裕, 今井浩文
  • 特開平7-181318:光学フィルター  
    松本貴裕, 三村秀典
  • 特開平7-181524:光シャッター  
    松本貴裕, 植田健司, 三村秀典
  • 特開平7-187890:レーザーアニーリング方法  
    植田健司, 松本貴裕, 玉木輝幸, 長谷川昇
  • 特開平7-199241:パルス合成器  
    松本貴裕, 三村秀典
  • 特開平7-199242:光出力安定化素子  
    松本貴裕, 植田健司
  • 特開平7-199243:光出力均一化素子  
    松本貴裕, 植田健司
  • 特開平7-225289:過剰熱の発生方法及び装置  
    大門正博, 山本幸弘, 松本貴裕, 今井浩文
  • 特開平7-235691:発光素子  
    三村秀典, 松本貴裕
  • 特開平7-286993:レーザ超音波材質測定装置  
    小林敬和, 宇田川建志, 林一雄, 玉木輝幸, 植田健司, 松本貴裕
  • 特開平7-288337:発光素子  
    三村秀典, 松本貴裕
  • 特開平7-288339:発光素子  
    三村秀典, 松本貴裕
  • 特開平7-301645:電気光学プローブ  
    玉木輝幸, 植田健司, 松本貴裕
  • 特開平8-285703:表面温度計  
    松本貴裕, 大門正博
  • 特許3073741:内部温度測定装置  
    松本貴裕, 俵口隆雄, 林一雄
  • 特開平8-285819:レーザー超音波検査装置  
    松本貴裕, 林一雄
  • 特開平8-285820:レーザー超音波検査装置  
    松本貴裕, 林一雄
  • 特開平8-285821:超音波検査方法及び超音波検査装置  
    松本貴裕, 俵口隆雄, 大門正博
  • 特開平8-285822:超音波検査装置  
    松本貴裕, 林一雄, 安田一美
  • 特開平8-285823:超音波検査装置  
    松本貴裕, 林一雄, 大門正博
  • 特開平8-285826:超音波測定装置  
    松本貴裕, 林一雄
  • 特開平8-320310:超音波発生方法及びレーザー超音波装置  
    林一雄, 松本貴裕
  • 特開平9-257756:超音波検出装置及び超音波検出方法  
    永田泰昭, 松本貴裕
  • 特開平9-257757:超音波検出装置及び超音波検出方法  
    永田泰昭, 松本貴裕
  • 特開平9-281086:超音波検出装置及び超音波検出方法  
    永田泰昭, 松本貴裕
  • 特開平9-281088:電磁超音波検査装置及び電磁超音波検査方法  
    永田泰昭, 松本貴裕
  • 特開平10-256225:薄膜基板の陽極化成処理方法及びフォトルミネッセンス特性をもつ半導体薄膜  
    松本貴裕, 越田信義
  • 特開平11-17216:発光素子材料の製造方法  
    松本貴裕, 田中正規, 李定植
  • 特開平11-17217:発光素子材料の製造方法  
    松本貴裕, 田中正規, 李定植
  • 特開平11-297624:薄膜素子及びその製造方法  
    松本貴裕, セルバクマールナイア
  • 特許4048336:測距装置  
    幸村裕治, 松本貴裕
  • 特許3637236:発光薄膜及びその光デバイス  
    松本貴裕, 戚継発
  • 特許3073741:薄膜及びそれを用いた装置  
    松本貴裕
  • 特許3854072:半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板  
    松本貴裕
  • 特許3830083:半導体装置およびその製造方法  
    松本貴裕, 堀尾直史, 佐野道宏
  • 特開2003-156633:成形光学パネル及びその成形金型  
    村瀬新三, 松本貴裕, 田谷周一, 近藤健一
  • 特許4098545:記録媒体ならびに情報記録方法および情報読出し方法  
    松本貴裕, 近藤道雄
  • 特許4566501:X線装置  
    松本貴裕, 三村秀典, 松田純司
  • 特許4162042:薄膜作製方法および薄膜  
    松本貴裕, 近藤道雄, 伊藤学
  • 特許4268471:冷陰極の製造方法,及び冷陰極を用いた装置  
    松本貴裕, 三村秀典
  • 特許4163174:発光薄膜及びその光デバイス  
    松本貴裕, 戚継発
  • 特許4739680:半導体装置の製造方法及び半導体装置  
    金近正之, 野崎孝彦, 田中弘三, 関真一, 加藤茂和, 佐野寛幸, 松本貴裕, 宇井和久
  • 特開2005-239826:蛍光体とその製造方法  
    佐野寛幸, 松本貴裕, 勝間田実, 鯉沼秀臣, 松本祐司
  • 特許4365277:蛍光ランプ及びその製造方法  
    松本貴裕, 平間浩則
  • 特開2006-210162:電子線源  
    松本貴裕, 安田喜昭, 三村秀典, 久米博
  • 特許4800099:光源装置  
    松本貴裕, 金近正之
  • 特許5189247:半導体光源装置とその発光部及び発光部の製造方法  
    松本貴裕, 冨田誠
  • 特開2007-122883:電子放出源及びその製造方法  
    岡田守弘, 三村秀典, 久保村健二, 松本貴裕
  • 特許4955993:表面プラズモン共鳴センサー素子  
    松本貴裕, 冨田誠
  • 特許4933091:表面プラズモン共鳴センサー素子  
    松本貴裕, 冨田誠
  • 特許4937729:電子線・X線源装置およびエアロゾル分析装置  
    明神紀勝, 松本貴裕, 久米博
  • 特許4739177:画像表示装置  
    松本貴裕, 冨田誠
  • 特開2008-170175:真空度推定方法  
    松本貴裕
  • 特許4837572:残留ガス判別方法  
    松本貴裕
  • 特開2008-226760:冷陰極装置および放射線放射装置および電子線放出装置および発光装置  
    鬼塚好弘, 明神紀勝, 松本貴裕, 中村奨
  • 特許5046206:発光素子  
    松本貴裕, 内藤裕治
  • 特許5170623:LED光源  
    近藤健一, 松本貴裕, 大久保努, 長崎篤史
  • 特許4942107:光触媒素子  
    松本貴裕
  • 特許4947304:光触媒素子  
    松本貴裕
  • 特許4892700:光触媒素子  
    松本貴裕
  • 特許5126741:電界放射電子源  
    松本貴裕, 根尾陽一郎
  • 特開2009-187684:電界放射型電子源の電子流制御方法  
    松本貴裕, 鬼塚好弘, 中村智宣
  • 特許5291378:フォトカソード装置  
    松本貴裕
  • 特許5205125:光増幅器及びその設計方法  
    松本貴裕
  • 特許5167004:光パルス発生装置及びその設計方法  
    松本貴裕
  • 特許5291427:光起電力発生装置及びその製造方法  
    松本貴裕, 近藤健一, 梁吉鍋
  • 特許5629931:光触媒装置  
    松本貴裕, 福田伸子, 牛島洋史
  • 特許5522343:二酸化炭素還元装置  
    松本貴裕, 福田伸子
  • 特許5081851:電界放出電子源の製造方法  
    松本貴裕, 鬼塚好弘, 中村智宣, 定塚淳生
  • 特許5379565:プログラマブル光源装置  
    松本貴裕
  • 特開2010-287647:水冷式LED光源及びこれを備えた太陽電池評価装置  
    松本貴裕, 望月克也, 谷田安
  • 特開2011-9248:試験用LED光源及びこれを備えた太陽電池評価装置  
    松本貴裕, 谷田安, 酒井悟
  • 特開2011-9254:試験用LED光源及びこれを備えた太陽電池評価装置  
    伊藤考浩, 矢田部学, 松本貴裕, 酒井悟
  • 特開2011-9358:太陽電池評価装置  
    松本貴裕, 酒井悟, 森林隆
  • 特開2011-34734:電界放出型電子源  
    松本貴裕, 鬼塚好弘, 中村智宣, 定塚淳生
  • 特許5465952:太陽熱集熱板,その製造方法及び太陽熱発電システム  
    松本貴裕
  • 特許5385054:放熱材料及びその製造方法  
    松本貴裕
  • 特許5536436:黒体放射光源及びその製造方法  
    松本貴裕
  • 特許5536437:光強度測定装置及びその製造方法  
    松本貴裕
  • 特許5406748:電界放出電子源及びその製造方法  
    松本貴裕, 鬼塚好弘, 中村智宣, 定塚淳生, 三村秀典
  • 特許5506514:赤外光源  
    松本貴裕
  • 特開2012-64727:光源装置  
    川上康之, 松本貴裕, 安田嘉昭, 岡本晃一
  • 特開2012-137477:粒子検出装置  
    松本貴裕, 久保文雄, 岡本晃一, 川上康之
  • 特許5833325:深紫外光源  
    松本貴裕, 岩山章
  • 特許5830468:発電装置,熱発電方法および太陽光発電方法  
    松本 貴裕
  • 特許5989984:白熱電球,フィラメントおよびその製造方法  
    松本貴裕
  • 特開2013-131467:白熱電球,および,フィラメント  
    松本貴裕
  • 特許5964581:白熱電球,および,フィラメント  
    松本 貴裕
  • 特開2013-134875:白熱電球,および,フィラメント  
    川上康之, 松本貴裕, 斎藤貴夫, 江本渓
  • 特許5689934:光源  
    松本貴裕
  • 特許5425239:光触媒素子  
    松本貴裕
  • 特願2012-247450:粒子検出積層構造及びこれを用いた粒子検出装置  
    松本貴裕, 久保文雄, 安食秀一, 椎木正和, 中村隆
  • 特許5975816:白熱電球,その製造方法,および,フィラメント  
    松本貴裕, 鈴木滋生
  • 特開2014-063667:白熱電球  
    松本貴裕
  • 特願2012-234766:加熱定着装置  
    久保文雄, 松本貴裕, 田谷周一, 小泉朋朗
  • 特願2012-234767:加熱定着装置  
    久保文雄, 松本貴裕, 田谷周一, 小泉朋朗
  • 特願2012-255279:加熱定着装置  
    松本貴裕, 田谷周一, 小泉朋朗
  • 特許6165495:フィラメントの製造方法,光源装置,および,フィラメント  
    横山喬大, 松本貴裕
  • 特願2013-076701:光照射装置及びこれを用いた光源システム  
    松本貴裕, 川上康之, 小池輝夫, 後藤辰也, 山本英明, 橋本峻一, 河野 圭真
  • 特許6089196:光照射装置及びこれを用いた光源システム  
    松本貴裕, 川上康之, 小池輝夫, 後藤辰也, 山本英明, 橋本峻一, 河野 圭真
  • 特願2012-540726:太陽光発電装置および太陽光発電方法  
    松本貴裕
  • 特願2013-173247:フィラメントおよび光源  
    松本貴裕
  • 特願2013-172615:赤外光源,および,それを用いたガス検出装置  
    松本貴裕
  • 特許6253313:フィラメント,および,それを用いた光源  
    松本貴裕
  • 特願2013-180084:近赤外ヒーター  
    松本貴裕
  • 特許5943738:深紫外レーザ光源  
    松本貴裕, 岩山章
  • 特願2014-032629:フィラメント  
    横山喬大, 松本貴裕
  • 特願2014-030962:フィラメント,それを用いた光源およびヒーター  
    松本貴裕
  • 特許6371075:フィラメント,光源,およびヒーター  
    松本貴裕
  • 特願2014-032636:半導体発光装置および放熱装置  
    松本貴裕
  • 特許6279350:可視光源  
    松本貴裕
  • 特許5567390:可視光源  
    松本貴裕
  • 特願2014-063105:加熱定着装置  
    小泉朋朗, 松本貴裕
  • 特願2014-106083:加熱定着装置  
    松本貴裕
  • 特願2014-126579:光貯蔵装置  
    松本貴裕, 平澤愛子, 山口雄一郎
  • 特願2014-126604:光貯蔵装置  
    松本貴裕, 平澤愛子, 山口雄一郎
  • 特願2014-136967:フィラメント,それを用いた光源,およびフィラメントの製造方法  
    松本貴裕
  • 特許5406748:光触媒素子  
    松本貴裕
  • 特願2015-006324:紫外発光材料,及び,紫外光源  
    加藤裕幸, 田中和史, 松本貴裕
  • 特願2015-027499:液体レンズ装置  
    高野貞一郎, 北園卓也, 松本貴裕, 下山勲, 松本潔, グェンビンキェム, 野田堅太郎
  • 特願2015-083181:フィラメント及びこれを用いた白熱電球  
    松本貴裕, 田中和史, 小泉朋朗, 江本渓
  • 特願2016-098165:水素脱離方法,シリコン結晶積層体,水素貯蔵システム,トリチウム分離システム,及びトリチウム分離方法  
    松本貴裕

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 日本学術振興会:科学研究費助成事業
    研究期間 : 2020年04月 -2024年03月 
    代表者 : 松本 貴裕; 大原 高志
     
    水素終端ナノ結晶シリコン(Si)に光を照射することによって水素離脱現象がおこることが知られている。一方, 重水素終端ナノ結晶Siに光を照射しても重水素が容易に離脱しないことを見出した。化学的結合エネルギーが同じである水素と重水素で,どうしてこのように大きな水素離脱速度の違いが存在するかについては,現在のところ明確になっていない。本年度の研究において,水素終端ナノ結晶Siの赤外振動状態に着目して中性子非弾性散乱実験をおこなったところ,水素から重水素への特異な交換反応が起こることを発見した。この反応は,n-Siを重水素を含む溶液に浸すだけで,n-Si表面の水素が重水素に積極的に置換されるというものである(濃縮率は4倍)。本中性子非弾性散乱実験と量子力学に基づくエネルギー計算を組み合わせることで,n-Si表面の水素が重水素に置換される濃縮率について,定量的に評価することに成功した。この交換プロセスは, n-Si表面に結合した水素と重水素の量子力学的零点エネルギーの相違に密接に関連していると考えられる。 また, シリコンナノ結晶表面に結合した2個の水素原子が,安定した量子もつれ状態になることを発見した。中性子非弾性散乱法を用いて,シリコン表面(Si:100面)に結合した水素の振動状態を観測し,2個の水素が量子もつれ状態にある直接的証拠を得ることに成功した。この量子もつれ状態の特長としては,従来の水素分子の量子もつれ状態と比較すると,10倍以上の大きな振動エネルギーを有するため,室温でも安定な量子もつれ状態を形成することができる。また,シリコン半導体表面処理技術を利用することによって,従来(10^2 bit)よりも遥かに多い10^6個以上の量子ビットの形成が可能となる。現在,この量子もつれ状態を利用した量子情報処理実験の準備を進めている。
  • 多段結合された共振器の中の速い光と遅い光,Goos-Hanchenシフト
    日本学術振興会:科学研究費補助金基盤B
    研究期間 : 2018年04月 -2022年03月 
    代表者 : 松本貴裕
  • 科学技術振興機構:産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) トライアウト トライアウトタイプ(標準)
    研究期間 : 2021年 -2021年 
    代表者 : 根尾 陽一郎,松本 貴裕
     
    大電流放出可能な電子源と,人体に非侵襲でかつ大きな殺菌効果を有する波長200nm~230nmの深紫外光を効率的に放射する蛍光材料で構成される全固体光源の実現が研究課題である。研究課題を解決する為に,我々は要素技術として,既にナノ構造炭素電子放出源と上記波長を効率的に放射する蛍光材料を有している。これらを組み合わせた光源を構築するためには,深紫外光取り出し効率の向上,高真空封止技術の確立,および10,000時間以上の寿命確保が実用化に向けた課題となる。本課題を解決することにより,人体に非侵襲な,高輝度・低価格・低消費電力・小型・軽量な水銀フリーの感染症予防・防止光源の世界への普及が可能となる。
  • 電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ
    日本学術振興会:科学研究費補助金基盤A
    研究期間 : 2015年07月 -2018年03月 
    代表者 : 松本貴裕
  • 挑戦研究/メゾスコピック材料を用いた電力光無損失変換技術の研究開発
    新エネルギー産業技術総合開発機構:省エネルギー革新開発事業
    研究期間 : 2011年07月 -2014年02月 
    代表者 : 松本貴裕
  • 波長制御可能な深紫外固体レーザ光源
    科学技術振興機構:研究成果最適展開支援プログラム (A-STEP)
    研究期間 : 2013年01月 -2013年12月 
    代表者 : 松本貴裕
  • 新炭素系材料を用いた小型電子線・X線源の開発
    環境省:ナノテクノロジーを活用した環境技術開発推進事業
    研究期間 : 2004年04月 -2007年03月 
    代表者 : 松本貴裕
  • ナノ構造制御Si太陽電池の研究開発
    新エネルギー産業技術総合開発機構:革新的次世代太陽光発電
    研究期間 : 2001年04月 -2004年03月 
    代表者 : 松本貴裕

委員歴

  • 2016年04月 - 現在   日本光医学・光生物学会   評議委員
  • 2008年10月 - 現在   東京大学先端光量子科学アライアンス外部協力委員
  • 2006年04月 - 現在   日本学術振興会   真空ナノエレクトロニクス158委員会
  • 2005年07月 - 2015年06月   International Vacuum Nanoelectronics Conference, International Advisory Committee

社会貢献活動

  • 静岡大学 電子工学研究所 客員教授
    期間 : 2005年10月01日 - 現在
    役割 : その他
    主催者・発行元 : 国立大学法人 静岡大学
     静岡大学 電子工学研究所 Visiting Professor, Research Institute of Electronics, Shizuoka University
  • 大阪大学 大学院基礎工学研究科 招聘教授
    期間 : 2014年04月01日 - 2015年03月31日
    役割 : その他
    主催者・発行元 : 国立大学法人 大阪大学
     大阪大学 基礎工学研究科 Visiting Professor, Graduate School of Engineering Science, Osaka university
  • 大阪大学 極限量子科学研究センター 招聘教授
    期間 : 2009年04月01日 - 2014年03月31日
    役割 : その他
    主催者・発行元 : 国立大学法人 大阪大学
     大阪大学 極限量子科学研究センター Visiting Professor, Center for Quantum Science and Technology under Extreme Conditions, Osaka university

その他

  • 2011年 - 2011年  メゾスコピック材料を用いた電力光無損失変換技術の研究開発 
    管理番号20140000000507

その他のリンク

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