研究者データベース


フリーワードで探す

全文検索となっています

松本 貴裕マツモト タカヒロ

所属部署芸術工学研究科産業イノベーションデザイン領域
職名教授
メールアドレスmatsumotosda.nagoya-cu.ac.jp
ホームページURL
生年月日
Last Updated :2019/07/06

研究者基本情報

学歴

  • 1986年04月 - 1988年03月, 東京大学, 大学院理学研究科, 物理学専攻修士課程
  • 1982年04月 - 1986年03月, 東京理科大学, 理学部第一部, 物理学科

学位

  • 博士(工学), 東京農工大

所属学協会

  • 日本光医学・生物学会
  • 米国光学会
  • 公益社団法人応用物理学会
  • 日本中間子学会

委員歴

  •   2016年04月 - 現在, 日本光医学・光生物学会, 評議委員
  •   2006年04月 - 現在, 日本学術振興会, 真空ナノエレクトロニクス158委員会
  •   2005年07月 - 2015年06月, International Vacuum Nanoelectronics Conference, International Advisory Committee
  •   2008年10月 - 現在, 東京大学先端光量子科学アライアンス外部協力委員

経歴

  •   2015年05月 - 現在, 名古屋市立大学, 芸術工学研究科, 教授
  •   2000年10月 - 2015年04月, スタンレー電気株式会社, 研究開発センター, 主任技師
  •   1996年02月 - 2000年09月, 科学技術振興機構, ERATO 舛本単一量子点プロジェクト, 研究員
  •   1988年04月 - 1996年01月, 新日本製鐵株式会社, エレクトロニクス研究所, 研究員

研究活動情報

研究分野

  • ナノ・マイクロ科学, ナノ構造化学
  • ナノ・マイクロ科学, ナノ構造物理
  • ナノ・マイクロ科学, ナノ材料化学
  • ナノ・マイクロ科学, ナノ材料工学
  • 応用物理学, 光工学・光量子科学
  • 量子ビーム科学, 量子ビーム科学
  • 機械工学, 熱工学

研究キーワード

    光物性, 量子エレクトロニクス, ナノ材料

論文

  • Observation of Goos-Hänchen Shift in Plasmon-induced Transparency, Yusuke Hirai, Kouki Matsunaga, Yoichiro Neo, Takahiro Matsumoto, and Makoto Tomita, Appl. Phys. Lett., 112, 051101 - 1-5,   2018年, 査読有り
  • Demonstration of Electron Beam Laser Excitation in the UV Range using a GaN/AlGaN Multiquantum Well Active Layer, Takafumi Hayashi, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Takahiro Matsumoto, Scientific Reports, 7,   2017年, 査読有り
  • Tailored Plasmon-induced Transparency in Attenuated Total Reflection Response in a Metal–insulator–metal Structure, Kouki Matsunaga, Yusuke Hirai, Yoichiro Neo, Takahiro Matsumoto, and Makoto Tomita, Scientific Reports, 7,   2017年, 査読有り
  • Quantum Twin Spectra in Nanocrystalline Silicon, Takahiro Matsumoto, Takashi Ohhara, Hidehiko Sugimoto, Stephen Bennington, and Susumu Ikeda, Phys. Rev. Materials (Rapid), 1, 051601 - 051606,   2017年, 査読有り
  • Demonstration of Electron Beam Excitation Laser using a GaInN-based Multiquantum Well Active Layer, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto, Applied Physics Express, 9, 101001 - 101003,   2016年, 査読有り
  • Transformation from Plasmon-induced Transparence to -induced Absorption through the Control of Coupling Strength in Metal-insulator-metal Structure, Yoichiro Neo, Takahiro Matsumoto, Takeshi Watanabe, Makoto Tomita, and Hidenori Mimura, Optics Express, 24, 26201 - 26208,   2016年, 査読有り
  • Attenuated Total Reflection Response to Wavelength Tuning of Plasmon-induced Transparency in a Metal–insulator–metal Structure, Kouki Matsunaga, Takeshi Watanabe, Yoichiro Neo, Takahiro Matsumoto, and Makoto Tomita, Optics Letters, 41, 5274 - 5277,   2016年, 査読有り
  • Perfect Blackbody Radiation from a Graphene Nanostructure with Application to High-temperature Spectral Emissivity Measurements, Takahiro Matsumoto, Tomoaki Koizumi, Yasuyuki Kawakami, Koichi Okamoto, and Makoto Tomita, Optics Express, 21, 30964 - 30974,   2013年, 査読有り
  • Propagation of the Centroid of Poynting Vector in Transversely Phase Modulated Optical Beams in Spatially Dispersive Media, Aminul Talukder, Tsuyoshi Matsuo, Takahiro Matsumoto, and Makoto Tomita, Phys. Rev. A, 88, 063842 - 1-6,   2013年, 査読有り
  • Handheld Deep Ultraviolet Emission Device Based on Aluminum Nitride Quantum Wells and Graphene Nanoneedle Field Emitters, Takahiro Matsumoto, Sho Iwayama, Takao Saito, Yasuyuki Kawakami, Fumio Kubo, and Hiroshi Amano, Optics Express, 20, 24320 - 24329,   2012年, 査読有り, OSA Spotlight Selected Paper
  • Necessary Conditions for Two-Lobe Patterns in Field Emission Microscopy, Yoichiro Neo, Takahiro Matsumoto, Makoto Tomita, Masahiro Sasaki, and Hidenori Mimura, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 115601 - 115604,   2012年, 査読有り
  • Fourier Analysis of Slow and Fast Image Propagation through Single and Coupled Image Resonators, Parvin Sultana, Takahiro Matsumoto, and Makoto Tomita, International Journal of Optics, 2012,   2012年, 査読有り
  • Delayed Optical Images through Coupled Resonator Induced Transparency, Parvin Sultana, Akira Takami, Takahiro Matsumoto, and Makoto Tomita, Optics Letters, 35, 3414 - 3416,   2010年, 査読有り
  • Advanced and delayed images through an image resonator, Makoto Tomita, Parvin Sultana, Akira Takami, and Takahiro Matsumoto, Optics Express, 18, 12599 - 12605,   2010年, 査読有り
  • Modified Blackbody Radiation Spectrum of a Selective Emitter with Application to Incandescent Lamp Design, Takahiro Matsumoto and Makoto Tomita, Optics Express, 18, A192 - A200,   2010年, 査読有り
  • Revealing Real Images of Cloverleaf Pattern Emission Sites by using Field Ion Microscopy, Yoichiro Neo, Takahiro Matsumoto, Makoto Tomita, Masahiro Sasaki, Toru Aoki, and Hidenori Mimura, J. Vac. Sci. Technol. B, 28, C2A1 - C2A4,   2010年, 査読有り
  • Emission Characteristics and Application of Graphite Nanospine Cathode, Atsuo Jyouzuka, Tomonori Nakamura, Yoshihiro Onizuka, Hidenori Mimura, Takahiro Matsumoto, and Hiroshi Kume, J. Vac. Sci. Technol. B, 28,   2010年, 査読有り
  • Tunable Fano Interference Effect in Coupled-Resonator-Induced Transparency, Makoto Tomita, Kouki Totsuka, Ryousuke Hanamura, and Takahiro Matsumoto, J. Opt. Soc. Am. B., 26, 813 - 818,   2009年, 査読有り
  • Observation of Normal and Anomalous Dispersions in a Microsphere Taper Fiber System, Makoto Tomita, Masayuki Okishio, Takahiro Matsumoto, and Kouki Totsuka, J. Phys. Soc. Jp., 78, 035001 - 1-2,   2009年, 査読有り
  • Raman Characterization of Nanocrystalline Silicon Films, O. P. Chikalova-Luzina, T. Matsumoto, M. Kondo, and V. Vyatkin, Integrated Ferroelectrics, 103 (1), 25 - 31,   2008年, 査読有り
  • Determining the Physisorption Energies of Molecules on Graphene Nanostructures by Measuring the Stochastic Emission-current Fluctuation, Takahiro Matsumoto, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura, and Makoto Tomita, Phys. Rev. E, 77, 031611 - 1-4,   2008年, 査読有り
  • Depth Profiling the Whispering Gallery Modes in TiO2:Eu Microspheres using Cathode Luminescence, Makoto Tomita, Hiroshi Ikari, Hidenori Mimura, and Takahiro Matsumoto, Optics Letters, 33, 336 - 338,   2008年, 査読有り
  • Modification of the Field Enhancement Factor for a Field Emitter with a Surrounding Electrode Stabilized using a Field Effect Transistor, Y. Neo, T. Matsumoto, H. Shimawaki, H. Mimura, and K. Yokoo, J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 751 - 754,   2008年, 査読有り
  • Dependence of the Light Emission Characteristics on the Neon Gas Pressure in an Electron Beam Pumped Light Source using a Field Emitter, K. Shiozawa, Y. Neo, M. Okada, H. Kume, T. Matsumoto, T. Ikedo, M. Takahashi, G. Hashiguchi, and H. Mimura, J. Vac. Soc. Japan, 50, 319 - 323,   2007年, 査読有り
  • Stabilization of Electron Emission from Nanoneedles with Two Dimensional Graphene Sheet Structure in a High Residual Pressure Region, T. Matsumoto, Y. Neo, H. Mimura, M. Tomita, N. Minami, Appl. Phys. Lett., 90, 103516 - 1-3,   2007年, 査読有り
  • Fabrication and Characteristics of Novel Graphite Field-emitters for Application to Electron-beam-pumped Light Sources, K. Shiozawa, Y. Neo, M. Okada, H. Kume, T. Matsumoto, T. Ikedo, M. Takahashi, G. Hashiguchi, and H. Mimura, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 666 - 669,   2007年, 査読有り
  • Observation of Whispering Gallery Modes in Cathode Luminescence in TiO2:Eu3+ Microspheres, M. Tomita, K. Totsuka, H. Ikari, K. Ohara, H. Mimura, H. Watanabe, H. Kume, and T. Matsumoto, Appl. Phys. Lett., 89, 061126 - 1-3,   2006年, 査読有り
  • Field Emission Characteristics of Graphite Nano-crater Cold Cathode and Its Application to Scanning Electron Microscopy, Y.Neo,H. Mimura, and T. Matsumoto, Appl. Phys. Lett., 88, 073511 - 1-3,   2006年, 査読有り
  • Smith-Purcell Radiation from Ultraviolet to Infrared using Si-field Emitter, Y. Neo, H. Shimawaki, T. Matsumoto, and H. Mimura, J. Vac. Sci. Tech. B, 24, 924 - 926,   2006年, 査読有り
  • A Combinatorial Approach to the Discovery and Optimization of YCa4O(BO3)3-based Luminescent Materials, H. Sano, T. Matsumoto, Y. Matsumoto, and H. Koinuma, Appl. Surf. Sci., 252, 2493 - 2496,   2006年, 査読有り
  • ReCa4O(BO3) Thin Films as New Luminescent Materials Screened by the Combinatorial Method, H. Sano, T. Matsumoto, Y. Matsumoto, and H. Koinuma, J. Phys. Chem. Solids, 66, 2112 - 2115,   2005年, 査読有り
  • High Intensity Pulse X-ray Generation by using Graphite-nanocrater Cold Cathode, T. Matsumoto and H. Mimura, J. Vac. Sci. Tech. B, 23, 831 - 835,   2005年, 査読有り
  • Emission Characteristics and Application of Semiconductor Field Emitters, H. Mimura, Y. Neo, H. Shimawaki, T. Matsumoto, and K. Yokoo, Appl. Surf. Sci., 244, 498 - 503,   2005年, 査読有り
  • Y1-xEuxCa4O(BO3)2 Thin Film as a Luminescent Material Screened by the Combinatorial Method, H. Sano, T. Matsumoto, Y. Matsumoto, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett., 86, 021104 - 1-3,   2005年, 査読有り
  • Intense Electron Emission from Graphite Nanocraters and Their Application to Time-Resolved X-ray Radiography, T. Matsumoto and H. Mimura, Appl. Phys. Lett., 84, 1804 - 1806,   2004年, 査読有り
  • Comparative Analysis of the Si Dangling Bonds Saturation by H or D in Gas and Liquid Phases, O. P. Chikalova-Luzina and T. Matsumoto, Appl. Surf. Sci., 237, 45 - 50,   2004年, 査読有り
  • Point X-ray Source using Graphite Nanofibers and its Application to X-ray Radiography, T. Matsumoto and H. Mimura, Appl. Phys. Lett., 82, 1637 - 1639,   2003年, 査読有り
  • Correlation Between Grain Size and Optical Properties in Zinc Oxide Thin Films, T. Matsumoto, H. Kato, K. Miyamoto, M. Sano, E. Zhukov, and T. Yao, Appl. Phys. Lett., 81, 1231 - 1233,   2002年, 査読有り, 130 scitations
  • Ratio of Deuterium- to Hydrogen Termination on Silicon Surface in Aqueous Electrolyte Solutions, O. P. Chikalova-Luzina and T. Matsumoto, Appl. Phys. Lett., 80, 4507 - 4509,   2002年, 査読有り
  • Isotope Effect in the Absorption of H and D on the Si Crystal Surface from Electrolyte, O. P. Chikalova-Luzina and T. Matsumoto, Vacuum, 67, 27 - 30,   2002年, 査読有り
  • Nanostructure of Hydrogen and Deuterium Terminated Porous Silicon, Jun-ichi Suzuki, Masato Ohnuma, and Takahiro Matsumoto, J. Phys. Soc. Jpn, 70, 303 - 305,   2001年, 査読有り
  • Evidence of Quantum Size Effect in Nanocrystalline Silicon by Optical Absorption, T. Matsumoto, M. Ohnuma, J. Suzuki, Y. Kanemitsu, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B, 63, 195322 - 1-5,   2001年, 査読有り
  • White Color Electroluminescence of Europium Silicate Thin Film, Jifa Qi, Takahiro Matsumoto, Masanori Tanaka, and Yasuaki Masumoto, J. Lumin., 82, 185 - 187,   2000年, 査読有り
  • Europium Silicate Thin Film on Silicon Substrates Fabricated by a Radio Frequency Sputtering Methods, J. Qi, T. Matsumoto, M. Tanaka, and Y. Masumoto, J. Phys. D: Applied Physics, 33, 2074 - 2078,   2000年, 査読有り
  • Laser Ultrasonics for Measurements of High-Temperature Elastic Properties and Internal Temperature Distribution, T. Matsumoto, Y. Nagata, T. Nose and K. Kawashima, Rev. Sci. Instrum., 72, 2777 - 2783,   2001年, 査読有り
  • Measurement of High-Temperature Elastic Properties of Ceramics by Laser Ultrasonic Method, T. Matsumoto, T. Nose, Y. Nagata, K. Kawashima, H. Nakano, and S. Nagai, J. Am. Ceram. Soc., 84, 1521 - 1525,   2001年, 査読有り
  • Characterization of Simultaneously Fabricated Silicon and Silicon Monooxide Nanowires, J. Qi, T. Matsumoto, and Y. Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L134 - L136,   2001年, 査読有り
  • Preparation of White Light Electroluminescent Europium Silicate Thin Films, J. Qi, T. Matsumoto, M. Tanaka, and Y. Masumoto, Electrochemical and Solid-State Letters, 3, 239 - 241,   2000年, 査読有り
  • The Effect of Deuterium on the Optical Properties of Free Standing Porous Silicon Layers, T. Matsumoto, A. I. Belogorokhov, L. I. Berogorokhova, Y. Masumoto, and E. A. Zhukov, Nanotechnology, 11, 340 - 347,   2000年, 査読有り
  • Significant Photoinduced Refractive Index Change Observed in Porous Silicon Fabry-Perot Resonators, M. Takahashi, Y. Toriumi, T. Matsumoto, Y. Masumoto, and N. Koshida, Appl. Phys. Lett., 76, 1990 - 1992,   2000年, 査読有り
  • Electroluminescence of Europium Silicate Thin Film on Silicon, J. Qi, T. Matsumoto, M. Tanaka, and Y. Masumoto, Appl. Phys Lett., 74, 3203 - 3205,   1999年, 査読有り
  • Isotope Energy Shift of Luminescence in Hydrogen- and Deuterium Terminated Porous Silicon, T. Matsumoto, S. V. Nair, and Y. Masumoto, Bull. Mater. Sci., 22, 369 - 376,   1999年, 査読有り
  • Deep Level Energy States in Porous Silicon and Porous Silicon Carbide Determined by Space-Charge-Limited-Current Measurements, T. Matsumoto, H. Mimura, N. Koshida, and Y. Masumoto, Appl. Surf. Sci., 142, 569 - 573,   1999年, 査読有り
  • Determination of Localized States in Porous Silicon, T. Matsumoto, J. Qi, H. Mimura, N. Koshida, and Y. Masumoto, J. Lumin., 80, 203 - 206,   1999年, 査読有り
  • Effect of Surface Termination on the Electronic States in Nanocrystalline Silicon, T. Matsumoto, G. Arata, S. V. Nair, and Y. Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 589 - 592,   1998年, 査読有り
  • Deep-Level Energy States in Nanostructural Porous Silicon, T. Matsumoto, H. Mimura, N. Koshida, and Y. Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 539 - 541,   1998年, 査読有り
  • Enhancement in Electron Emission from Polycrystalline Silicon Field Emitter Arrays Coated with Diamond-like Carbon, H. Mimura, G. Hashiguchi, M. Okada, T. Matsumoto, M. Tanaka, and K. Yokoo, J. Appl. Phys., 84, 3378 - 3381,   1998年, 査読有り
  • The Density of States in Nanocrystalline Silicon Determined by Space-Charge-Limited-Current Measurements, T. Matsumoto, H. Mimura, N. Koshida, and Y. Masumoto, J. Appl. Phys., 84, 6157 - 6161,   1998年, 査読有り
  • Fabrication of Multiperiod Si/SiO2/Ge Layered through Chemical Bond Manipulation, K. Prabhakaran, T. Matsumoto, T. Ogino, and Y. Masumoto, Appl. Phys. Lett., 72, 3169 - 3171,   1998年, 査読有り
  • Inverted Staebler-Wronski Effect in Nanocrystalline Silicon, T. Matsumoto, M. Kondo, S. V. Nair, and Y. Masumoto, J. Noncryst. Solids, 227-230, 320 - 323,   1998年, 査読有り
  • Luminescence Mechanism of As-prepared and Oxidized Porous Silicon, Y. Kanemitsu, H. Mimura, T. Matsumoto, and T. Nakamura, J. Lumin., 72-74, 344 - 346,   1997年, 査読有り
  • Electroluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon, T. Matsumoto, Y. Masumoto, T. Nakagawa, M. Hashimoto, K. Ueno, and N. Koshida, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1089 - L1091,   1997年, 査読有り
  • Coupling effect of surface vibration and quantum confinement carriers in porous silicon, T. Matsumoto, Y. Masumoto, S. Nakashima, H. Mimura, and N. Koshida, Appl. Surf. Sci., 113/114, 140 - 144,   1997年, 査読有り
  • Luminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon, T. Matsumoto, Y. Masumoto, S. Nakashima, and N. Koshida, Thin Solid Films, 297, 31 - 34,   1997年, 査読有り
  • Deterioration of the Frequency-Conversion Efficiency of a LiTaO3 Waveguide Device with Nonlinear Quasi-Phase-Matched Second-Harmonic Generation, Y. Yamamoto, S. Yamaguchi, N. Yamada, T. Matsumoto, and Y. Kondo, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 3902 - 3903,   1996年, 査読有り
  • Nonlinear Optical Properties of Porous Silicon, Y. Kanemitsu, T. Matsumoto, and H. Mimura, J. Noncryst. Solids, 198-200, 977 - 980,   1996年, 査読有り
  • Green and blue light emitting devices usingSi-based porous materials, H. Mimura, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, J. Noncryst. Solids, 198-200, 961 - 964,   1996年, 査読有り
  • Quasi Phase Matched Second Harmonic Generation in a Periodic Lens Sequence Wave Guide with a Relatively Wide Wavelength-tuned Width, Y. Yamamoto, S. Yamaguchi, N. Yamada, K. Ueda, and T. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 6382 - 6384,   1995年, 査読有り
  • Light Emitting Devices Using Porous Silicon and Porous Silicon Carbide, H. Mimura, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, Solid-State Electronics, 40, 501 - 504,   1996年, 査読有り
  • Photo- and Electroluminescence from Elecrochemically Polished Silicon, T. Matsumoto, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1318 - L1321,   1995年, 査読有り
  • Optically Induced Absorption in Porous Silicon and Its Application to Logic Gates, T. Matsumoto, M. Daimon, H. Mimura, Y. Kanemitsu, and N. Koshida, J. Electrochem. Soc., 142, 3528 - 3533,   1995年, 査読有り
  • PL properties of porous Si anodized with various light illuminations, H. Mimura, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, Appl. Surf. Sci., 92, 396 - 399,   1996年, 査読有り
  • Si-based optical devices using porous materials, H. Mimura, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, Appl. Surf. Sci., 92, 598 - 605,   1996年, 査読有り
  • Photoluminescence from Silicon Quantum Crystallites: Core and Surface States, Y. Kanemitsu, H. Uto, and T. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 89 - 91,   1995年, 査読有り
  • Observation and Formulation of Two-Dimensional Speckle in the Space and the Time Domains, M. Tomita and T. Matsumoto, J. Opt. Soc. Am. B, 12, 170 - 174,   1995年, 査読有り
  • Transport Study of Self-Supporting Porous Silicon, A. Fejfar, I. Pelant, E. Sipek, J. Kocka, G. Juska, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett., 66, 1098 - 1100,   1995年, 査読有り
  • Light Emitting Diode Using Porous Silicon, Hidenori Mimura, Takahiro Matsumoto, and Yoshihiko Kanemitsu, J. Phys. Soc. Jpn, 63, 203 - 210,   1994年, 査読有り
  • Picosecond Carrier Relaxation Processes in Porous Silicon, Takahiro Matsumoto, Hidenori Mimura, and Yoshihiko Kanemitsu, J. Phys. Soc. Jpn, 63, 182 - 189,   1994年, 査読有り
  • Visible Electroluminescence from µc-SiC / porous Si / c-Si PN Junctions, Hidenori Mimura, Toshiro Futagi, Takahiro Matsumoto, Masakazu Katsuno, Yasumitsu Ohta, and Koichi Kitamura, 9, 211 - 215,   1994年, 査読有り
  • Blue Electroluminescence from Porous Silicon Carbide, H. Mimura, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett., 65, 3350 - 3352,   1994年, 査読有り
  • Blue Light Emission from Rapid-Thermally-Oxidized Porous Silicon, H. Mimura, T. Futagi, T. Matsumoto, T. Nakamura, and Y. Kanemitsu, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 586 - 589,   1994年, 査読有り
  • Large Induced Absorption Change in Porous Silicon and Its Application to Optical Logic Gates, T. Matsumoto, T. Futagi, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, Jpn. J. Appl. Phys., 33, L35 - L36,   1994年, 査読有り
  • A Visible Light-Emitting Diode Using a PN Junction of Porous Silicon and Microcrystalline Silicon Carbide, H. Mimura, T. Futagi, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, J. Noncryst. Solids, 164-166, 949 - 952,   1993年, 査読有り
  • Ultrafast Electronic Relaxation Processes in Porous Silicon, T. Matsumoto, O. B. Wright, T. Futagi, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, J. Noncryst. Solids, 164-166, 953 - 956,   1993年, 査読有り
  • Origin of the Blue and Red Photoluminescence from Oxidized Porous Silicon, Y. Kanemitsu, T. Matsumoto, T. Futagi, and H. Mimura, Phys. Rev. B, 49, 14732 - 14735,   1994年, 査読有り, 102 scitations
  • Blue-Green Luminescence fromPorous Silicon Carbide, T. Matsumoto, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett., 64, 226 - 228,   1994年, 査読有り, 242 scitations
  • Optical Bistability using Photoinduced Absorption Change in Porous Silicon, Y. Kanemitsu and T. Matsumoto, Superlattices and Microstructures, 15, 61 - 63,   1994年, 査読有り
  • Visible Light Emission from a PN Junction of Porous Silicon and Microcrystalline Silicon Carbide, T. Futagi, T. Matsumoto, M. Katsuno, Y. Ohta, H. Mimura, and K. Kitamura, Appl. Phys. Lett., 63, 1209 - 1210,   1993年, 査読有り
  • Microstructure and Optical Properties of Free-Standing Porous Silicon Films: Size Dependence of Absorption Spectra in Si Nanometer-sized Crystallites, Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, T. Matsumoto, T. Futagi, and H. Mimura, Phys. Rev. B, 48, 2827 - 2830,   1993年, 査読有り, 501 scitations
  • Ultrafast Decay Dynamics of Luminescence in Porous Silicon, T. Matsumoto, T. Futagi, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, Phys. Rev. B, 47, 13876 - 13879,   1993年, 査読有り
  • Hydrogen Termination and Optical Properties of Porous Silicon: Photochemical Etching Effect, Y. Kanemitsu, T. Matsumoto, T. Futagi, and H. Mimura, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 411 - 414,   1993年, 査読有り
  • Preparation of µc-SiC and Its Application for Light Emitting Diodes, H. Mimura, T. Futagi, T. Matsumoto, M. Katsuno, Y. Ohta, and K. Kitamura, Appl. Surf. Sci., 65/66, 473 - 478,   1993年, 査読有り
  • Visible Photoluminescence of Silicon-Based Nanostructure: Porous Silicon and Small Silicon-Based Clusters, Y. Kanemitsu, K. Suzuki, H. Uto, Y. Masumoto, T. Matsumoto, S. Kyushin, K. Higuchi, and H. Matsumoto, Appl. Phys. Lett., 61, 2446 - 2448,   1992年, 査読有り
  • Visible Electroluminescence from P-Type Crystalline Silicon / Porous Silicon / N-type Microcrystalline Silicon Carbon PN Junction Diodes, T. Futagi, T. Matsumoto, M. Katsuno, Y. Ohta, H. Mimura, and K. Kitamura, Jpn. J. Appl. Phys., 31, L616 - L618,   1992年, 査読有り
  • Picosecond Luminescence Decay in Porous Silicon, T. Matsumoto, M. Daimon, T. Futagi, and H. Mimura, Jpn. J. Appl. Phys., 31, L619 - L621,   1992年, 査読有り
  • Femtosecond Vibrational Relaxation Measurement of Azulene Using Temporally Incoherent Light, T. Matsumoto, K. Ueda, and M. Tomita, Chem. Phys. Lett., 191, 627 - 632,   1992年, 査読有り
  • High Resolution Laser Picosecond Acoustics in Thin Films, O. B. Wright, T. Matsumoto, T. Hyoguchi, and K. Kawashima, Physical Acoustics, 65, 695 - 702,   1992年, 査読有り
  • Nonlinear Dynamical Relaxation Processes in Semiconductor-Doped Glasses at Liquid Nitrogen Temperature, M. Tomita, T. Matsumoto, and M. Matsuoka, J. Opt. Soc. Am. B, 6, 165 - 170,   1989年, 査読有り
  • Stabilization of a CW Modelocked YAG Laser Using Feedback with an Acousto-Optic Modulator, T. Matsumoto, M. Baba, T. Kuga, and M. Matsuoka, Jpn. J. Appl. Phys., 28, 391 - 395,   1989年, 査読有り

書籍等出版物

  • Graphene Simulation, InTech,   2011年, ISBN:978-953-307-556-3, Field Emission from Graphene Nanostructure, Chapter 8
  • Carbon Nanotube and Related Field Emitters, Wiley-Blackwell,   2010年, ISBN:978-3-527-32734-8, Graphite Nanoneedle Field Emitter, Chapter 13
  • Properties of Porous Silicon, INSPEC,   1997年, ISBN:0-85296-932-5, Nonlinear OpticalProperties of Porous Silicon, Chapter 8.4
  • Porous Silicon, World Scientific,   1994年, ISBN:978-981-02-1634-4, Porous Silicon: Microstructure, Optical Properties, and Application to Light Emitting Diodes, Chapter 18

講演・口頭発表等

  • Demonstration of GaInN-based Laser Pumped by an Electron Beam, International Workshop on Nitride Semiconductors 2014,   2014年, Invited paper
  • Light Sources using Field Emitter Technologies, 10th International Meeting on Information Display/International Display Manufacturing Conference and Asia Display 2010,   2010年, Invited paper
  • Field Emission and Ion Microscopy about Cloverleaf Pattern, 22nd International Vacuum Nanoelectronics Conference,   2009年, Invited paper
  • Emission Characteristics and Application of Semiconductor Field Emitters, 12th International Conference on Solid Films and Surfaces,   2004年, Invited paper
  • Isotope Energy Shift of Luminescence in Hydrogen- and Deuterium Terminated Porous Silicon, The 5th IUMRS International Conference in Asia,   1998年, Invited paper
  • Stabilization of Porous Silicon by Deuterium Termination, International Workshop on the Role of Hydrogen and Deuterium in Hot Electron Semiconductor Device Degradation,   1998年, Invited paper
  • SiC/Porous Si Junctions, 7th International Conference on Solid Films and Surfaces,   1994年, Invited paper
  • Study of Photo- and Electro- Luminescence in Porous Silicon, International Workshop on Light Emission and Electronic Properties of Nanoscale Silicon,   1993年, Invited paper

特許

  • 水素脱離方法,シリコン結晶積層体,水素貯蔵システム,トリチウム分離システム,及びトリチウム分離方法, 松本貴裕, 特願2016-098165
  • フィラメント及びこれを用いた白熱電球, 松本貴裕,田中和史,小泉朋朗,江本渓, 特願2015-083181
  • 液体レンズ装置, 高野貞一郎,北園卓也,松本貴裕,下山勲,松本潔,グェンビンキェム,野田堅太郎, 特願2015-027499
  • 紫外発光材料,及び,紫外光源, 加藤裕幸,田中和史,松本貴裕, 特願2015-006324
  • 光触媒素子, 松本貴裕, 特願2012-007868, 特開2012-115834, 特許5406748
  • フィラメント,それを用いた光源,およびフィラメントの製造方法, 松本貴裕, 特願2014-136967
  • 光貯蔵装置, 松本貴裕,平澤愛子,山口雄一郎, 特願2014-126604
  • 光貯蔵装置, 松本貴裕,平澤愛子,山口雄一郎, 特願2014-126579
  • 加熱定着装置, 松本貴裕, 特願2014-106083
  • 加熱定着装置, 小泉朋朗,松本貴裕, 特願2014-063105
  • 可視光源, 松本貴裕, 特願2014-041698, 特開2011-124206, 特許5567390
  • 可視光源, 松本貴裕, 特願2014-041439, 特許6279350
  • 半導体発光装置および放熱装置, 松本貴裕, 特願2014-032636
  • フィラメント,光源,およびヒーター, 松本貴裕, 特願2014-032341, 特許6371075
  • フィラメント,それを用いた光源およびヒーター, 松本貴裕, 特願2014-030962
  • フィラメント, 横山喬大,松本貴裕, 特願2014-032629
  • 深紫外レーザ光源, 松本貴裕,岩山章, 特開2014-011377, 特許5943738
  • 近赤外ヒーター, 松本貴裕, 特願2013-180084
  • フィラメント,および,それを用いた光源, 松本貴裕, 特願2013-180057, 特許6253313
  • 赤外光源,および,それを用いたガス検出装置, 松本貴裕, 特願2013-172615
  • フィラメントおよび光源, 松本貴裕, 特願2013-173247
  • 太陽光発電装置および太陽光発電方法, 松本貴裕, 特願2012-540726
  • 光照射装置及びこれを用いた光源システム, 松本貴裕,川上康之,小池輝夫,後藤辰也,山本英明,橋本峻一,河野 圭真, 特願2013-076702, 特許6089196
  • 光照射装置及びこれを用いた光源システム, 松本貴裕,川上康之,小池輝夫,後藤辰也,山本英明,橋本峻一,河野 圭真, 特願2013-076701
  • フィラメントの製造方法,光源装置,および,フィラメント, 横山喬大,松本貴裕, 特願2013-091408, 特許6165495
  • 加熱定着装置, 松本貴裕,田谷周一,小泉朋朗, 特願2012-255279
  • 加熱定着装置, 久保文雄,松本貴裕,田谷周一,小泉朋朗, 特願2012-234767
  • 加熱定着装置, 久保文雄,松本貴裕,田谷周一,小泉朋朗, 特願2012-234766
  • 白熱電球, 松本貴裕, 特開2014-063667
  • 白熱電球,その製造方法,および,フィラメント, 松本貴裕,鈴木滋生, 特開2014-063666, 特許5975816
  • 粒子検出積層構造及びこれを用いた粒子検出装置, 松本貴裕,久保文雄,安食秀一,椎木正和, 中村隆, 特願2012-247450
  • 光触媒素子, 松本貴裕, 特願2012-007868, 特開2012-115834, 特許5425239
  • 光源, 松本貴裕, 特開2013-235864, 特許5689934
  • 白熱電球,および,フィラメント, 川上康之,松本貴裕,斎藤貴夫,江本渓, WO2013/094363(国際特許), 特開2013-134875
  • 白熱電球,および,フィラメント, 松本 貴裕, WO2013 / 094363(国際特許), 特開2013-134873, 特許5964581
  • 白熱電球,および,フィラメント, 松本貴裕, WO2013/0094363(国際特許), 特開2013-131467
  • 白熱電球,フィラメントおよびその製造方法, 松本貴裕, WO2013/061993(国際特許), 特開2013-93293, 特許5989984
  • 発電装置,熱発電方法および太陽光発電方法, 松本 貴裕, WO2012/056806(国際特許), 特開2012-64728, 特許5830468
  • 深紫外光源, 松本貴裕,岩山章, 特開2012-199174, 特許5833325
  • 粒子検出装置, 松本貴裕,久保文雄,岡本晃一,川上康之, 特開2012-137477
  • 光源装置, 川上康之,松本貴裕,安田嘉昭,岡本晃一, 特開2012-64727
  • 赤外光源, 松本貴裕, 特開2011-222211, 特許5506514
  • 電界放出電子源及びその製造方法, 松本貴裕,鬼塚好弘,中村智宣,定塚淳生,三村秀典, 特開2011-154980, 特許5406748
  • 光強度測定装置及びその製造方法, 松本貴裕, 特開2011-133239, 特許5536437
  • 黒体放射光源及びその製造方法, 松本貴裕, 特開2011-133233, 特許5536436
  • 放熱材料及びその製造方法, 松本貴裕, 特開2011-49281, 特許5385054
  • 太陽熱集熱板,その製造方法及び太陽熱発電システム, 松本貴裕, 特開2011-47304, 特許5465952
  • 電界放出型電子源, 松本貴裕,鬼塚好弘,中村智宣,定塚淳生, 特開2011-34734
  • 太陽電池評価装置, 松本貴裕,酒井悟,森林隆, 特開2011-9358
  • 試験用LED光源及びこれを備えた太陽電池評価装置, 伊藤考浩,矢田部学,松本貴裕,酒井悟, 特開2011-9254
  • 試験用LED光源及びこれを備えた太陽電池評価装置, 松本貴裕,谷田安,酒井悟, 特開2011-9248
  • 水冷式LED光源及びこれを備えた太陽電池評価装置, 松本貴裕,望月克也,谷田安, 特開2010-287647
  • プログラマブル光源装置, 松本貴裕, 特開2010-287323, 特許5379565
  • 電界放出電子源の製造方法, 松本貴裕,鬼塚好弘,中村智宣,定塚淳生, 特開2010-198970, 特許5081851
  • 二酸化炭素還元装置, 松本貴裕,福田伸子, 特開2010-184195, 特許5522343
  • 光触媒装置, 松本貴裕,福田伸子,牛島洋史, 特開2010-184194, 特許5629931
  • 光起電力発生装置及びその製造方法, 松本貴裕,近藤健一,梁吉鍋, 特開2010-98033, 特許5291427
  • 光パルス発生装置及びその設計方法, 松本貴裕, 特開2010-25966, 特許5167004
  • 光増幅器及びその設計方法, 松本貴裕, 特開2009-289856, 特許5205125
  • フォトカソード装置, 松本貴裕, 特開2009-277515, 特許5291378
  • 電界放射型電子源の電子流制御方法, 松本貴裕,鬼塚好弘,中村智宣, 特開2009-187684
  • 電界放射電子源, 松本貴裕,根尾陽一郎, 特開2009-158304, 特許5126741
  • 光触媒素子, 松本貴裕, 特開2009-45516, 特許4892700
  • 光触媒素子, 松本貴裕, 特開2009-45515, 特許4947304
  • 光触媒素子, 松本貴裕, 特開2009-45514, 特許4942107
  • LED光源, 近藤健一,松本貴裕,大久保努,長崎篤史, 特開2009-43903, 特許5170623
  • 発光素子, 松本貴裕,内藤裕治, 特開2009-38260, 特許5046206
  • 冷陰極装置および放射線放射装置および電子線放出装置および発光装置, 鬼塚好弘,明神紀勝,松本貴裕,中村奨, 特開2008-226760
  • 残留ガス判別方法, 松本貴裕, 特開2008-170176, 特許4837572
  • 真空度推定方法, 松本貴裕, 特開2008-170175
  • 画像表示装置, 松本貴裕,冨田誠, W02008/078494(国際特許), 特開2008-158148, 特許4739177
  • 電子線・X線源装置およびエアロゾル分析装置, 明神紀勝,松本貴裕,久米博, 特開2008-157702, 特許4937729
  • 表面プラズモン共鳴センサー素子, 松本貴裕,冨田誠, 特開2007-170928, 特許4933091
  • 表面プラズモン共鳴センサー素子, 松本貴裕,冨田誠, 特開2007-170849, 特許4955993
  • 電子放出源及びその製造方法, 岡田守弘,三村秀典,久保村健二,松本貴裕, 特開2007-122883
  • 半導体光源装置とその発光部及び発光部の製造方法, 松本貴裕,冨田誠, 特開2007-95809, 特許5189247
  • 光源装置, 松本貴裕,金近正之, 特開2007-81366, 特許4800099
  • 電子線源, 松本貴裕,安田喜昭,三村秀典,久米博, 特開2006-210162
  • 蛍光ランプ及びその製造方法, 松本貴裕,平間浩則, 特開2006-31996, 特許4365277
  • 蛍光体とその製造方法, 佐野寛幸,松本貴裕,勝間田実,鯉沼秀臣,松本祐司, 特開2005-239826
  • 半導体装置の製造方法及び半導体装置, 金近正之,野崎孝彦,田中弘三,関真一,加藤茂和,佐野寛幸,松本貴裕,宇井和久, 特開2005-223088, 特許4739680
  • 発光薄膜及びその光デバイス, 松本貴裕,戚継発, 特開2005-187806, 特許4163174
  • 冷陰極の製造方法,及び冷陰極を用いた装置, 松本貴裕,三村秀典, 特開2005-32638, 特許4268471
  • 薄膜作製方法および薄膜, 松本貴裕,近藤道雄,伊藤学, 特開2004-300530, 特許4162042
  • X線装置, 松本貴裕,三村秀典,松田純司, 特開2004-31067, 特許4566501
  • 記録媒体ならびに情報記録方法および情報読出し方法, 松本貴裕,近藤道雄, 特開2003-288738, 特許4098545
  • 成形光学パネル及びその成形金型, 村瀬新三,松本貴裕,田谷周一,近藤健一, 特開2003-156633
  • 半導体装置およびその製造方法, 松本貴裕,堀尾直史,佐野道宏, 特開2002-270515, 特許3830083
  • 半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板, 松本貴裕, 特開2002-208568, 特許3854072
  • 薄膜及びそれを用いた装置, 松本貴裕, 特開2001-74871, 特許3073741
  • 発光薄膜及びその光デバイス, 松本貴裕,戚継発, 特開2000-306674, 特許3637236
  • 測距装置, 幸村裕治,松本貴裕, 特開2000-74626, 特許4048336
  • 薄膜素子及びその製造方法, 松本貴裕,セルバクマールナイア, 特開平11-297624
  • 発光素子材料の製造方法, 松本貴裕,田中正規,李定植, 特開平11-17217
  • 発光素子材料の製造方法, 松本貴裕,田中正規,李定植, 特開平11-17216
  • 薄膜基板の陽極化成処理方法及びフォトルミネッセンス特性をもつ半導体薄膜, 松本貴裕,越田信義, 特開平10-256225
  • 電磁超音波検査装置及び電磁超音波検査方法, 永田泰昭,松本貴裕, 特開平9-281088
  • 超音波検出装置及び超音波検出方法, 永田泰昭,松本貴裕, 特開平9-281086
  • 超音波検出装置及び超音波検出方法, 永田泰昭,松本貴裕, 特開平9-257757
  • 超音波検出装置及び超音波検出方法, 永田泰昭,松本貴裕, 特開平9-257756
  • 超音波発生方法及びレーザー超音波装置, 林一雄,松本貴裕, 特開平8-320310
  • 超音波測定装置, 松本貴裕,林一雄, 特開平8-285826
  • 超音波検査装置, 松本貴裕,林一雄,大門正博, 特開平8-285823
  • 超音波検査装置, 松本貴裕,林一雄,安田一美, 特開平8-285822
  • 超音波検査方法及び超音波検査装置, 松本貴裕,俵口隆雄,大門正博, 特開平8-285821
  • レーザー超音波検査装置, 松本貴裕,林一雄, 特開平8-285820
  • レーザー超音波検査装置, 松本貴裕,林一雄, 特開平8-285819
  • 内部温度測定装置, 松本貴裕,俵口隆雄,林一雄, 特開平8-285704, 特許3073741
  • 表面温度計, 松本貴裕,大門正博, 特開平8-285703
  • 電気光学プローブ, 玉木輝幸,植田健司,松本貴裕, 特開平7-301645
  • 発光素子, 三村秀典,松本貴裕, 特開平7-288339
  • 発光素子, 三村秀典,松本貴裕, 特開平7-288337
  • レーザ超音波材質測定装置, 小林敬和,宇田川建志,林一雄,玉木輝幸,植田健司,松本貴裕, 特開平7-286993
  • 発光素子, 三村秀典,松本貴裕, 特開平7-235691
  • 過剰熱の発生方法及び装置, 大門正博,山本幸弘,松本貴裕,今井浩文, 特開平7-225289
  • 光出力均一化素子, 松本貴裕,植田健司, 特開平7-199243
  • 光出力安定化素子, 松本貴裕,植田健司, 特開平7-199242
  • パルス合成器, 松本貴裕,三村秀典, 特開平7-199241
  • レーザーアニーリング方法, 植田健司,松本貴裕,玉木輝幸,長谷川昇, 特開平7-187890
  • 光シャッター, 松本貴裕,植田健司,三村秀典, 特開平7-181524
  • 光学フィルター, 松本貴裕,三村秀典, 特開平7-181318
  • 光周波数シフター, 植田健司,松本貴裕,今井浩文, 特開平7-175094
  • フォトリフラクティブ結晶, 松本貴裕,玉木輝幸,植田健司,三村秀典, 特開平7-104331
  • 光ディフラクター, 松本貴裕,植田健司, 特開平7-104328
  • レーザー出力均一化素子及びこれを用いたレーザーアニーリング装置, 植田健司,松本貴裕,玉木輝幸,長谷川昇, 特開平7-99356
  • 光双安定素子, 松本貴裕,長谷川昇,玉木輝幸,三村秀典, 特開平7-92520
  • エレクトロクロミックフィルター及びそれを用いた表示装置, 松本貴裕,長谷川昇,植田健司,三村秀典, 特開平7-92505
  • 光信号発生装置, 松本貴裕,玉木輝幸,植田健司,三村秀典, 特開平7-92435
  • 光変調器, 松本貴裕,長谷川昇,植田健司,三村秀典, 特開平7-92434
  • 光変調器, 松本貴裕,植田健司,玉木輝幸,三村秀典, 特開平7-77674
  • 光論理演算素子, 松本貴裕,長谷川昇,玉木輝幸,植田健司, 特開平7-64140
  • 画像演算処理装置, 松本貴裕,長谷川昇,植田健司,三村秀典, 特開平7-64138
  • シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子, 松本貴裕,二木登史郎,三村秀典,玉木輝幸, 特開平6-310816
  • レーザーアニーリング方法, 玉木輝幸,植田健司,松本貴裕,長谷川昇, 特開平6-302536
  • レーザードーピング方法, 玉木輝幸,植田健司,松本貴裕,長谷川昇, 特開平6-302531
  • レーザーアニーリング方法, 植田健司,松本貴裕,玉木輝幸,長谷川昇,今井浩文, 特開平6-291036
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-283759
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-283755
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-283754
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-283753
  • 電圧分布測定装置, 長谷川昇,植田健司,松本貴裕,玉木輝幸, 特開平6-281707
  • 電圧分布測定装置, 長谷川昇,植田健司,松本貴裕,玉木輝幸, 特開平6-194426
  • 多孔質シリコン及び発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-132564
  • 電圧分布測定装置, 玉木輝幸,長谷川昇,植田健司,松本貴裕, 特開平6-102296
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97500
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97499
  • 光-光変換素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97491
  • 光結合回路素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97486
  • 光結合素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97420
  • 光送信素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97419
  • 表示装置, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平6-97418
  • 電気光学サンプリング装置及びそれに用いる電気光学プローブ, 植田健司,松本貴裕,玉木輝幸,長谷川昇, 特開平6-82492
  • 超高速光信号の測定方法及び装置, 松本貴裕, 特開平5-288610
  • 多孔質シリコンの発光効率を増加させる方法, 松本貴裕,二木登史郎,三村秀典, 特開平5-275743
  • 電気信号測定装置, 植田健司,長谷川昇,松本貴裕, 特開平5-226432
  • 電気信号測定装置, 長谷川昇,植田健司,松本貴裕, 特開平5-226431
  • 発光素子, 三村秀典,二木登史郎,松本貴裕, 特開平5-206514
  • 超高速電気信号の測定方法及び装置, 松本貴裕,植田健司,長谷川昇, 特開平5-126866
  • 微粒子分散系内部の微粒子の反応を測定する方法, 玉木輝幸,松本貴裕, 特開平4-369462
  • 超短パルス固体レーザ装置, 松本貴裕,植田健司, 特開平4-361581
  • 超短パルス固体レーザ装置, 松本貴裕,植田健司, 特開平4-361580
  • 薄膜評価装置, 松本貴裕, 特開平4-191652, 特許2717600
  • 試料内に超音波を発生・検出させる方法及びその装置, 松本貴裕, 特開平4-178538
  • 高温弾性率測定装置, 松本貴裕,俵口隆雄, 特開平4-127037, 特許2686674
  • レーザドップラ速度計, 玉木輝幸,松本貴裕,俵口隆雄, 特開平4-9687
  • レーザ超音波探傷装置, 松本貴裕,オリバー・ビー・ライト,川島捷宏, 特開平2-276961
  • 光源装置,および,フィラメント, 松本貴裕, WO2013/099760(国際特許)
  • 光源装置,および,フィラメント, 川上康之,松本貴裕,斎藤貴夫,江本渓, WO2013/099759(国際特許)
  • 光源装置,および,フィラメント, 松本貴裕,斎藤貴夫,川上康之, WO2013/081127(国際特許)
  • X線発生装置, 松本貴裕,中村奨,明神紀勝, WO2008/078477(国際特許)
  • 画像表示装置, 松本貴裕, WO2008/078494(国際特許)
  • 電子線励起による深紫外レーザ光源, 松本貴裕,岩山章, PCT/JP2013/067234(国際特許)

競争的資金

  • 多段結合された共振器の中の速い光と遅い光,Goos-Hanchenシフト, 日本学術振興会, 科学研究費補助金基盤B,   2018年04月 - 2022年03月, 松本貴裕 (分担責任者)
  • 電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ, 日本学術振興会, 科学研究費補助金基盤A,   2015年07月 - 2018年03月, 松本貴裕 (分担責任者)
  • 挑戦研究/メゾスコピック材料を用いた電力光無損失変換技術の研究開発, 新エネルギー産業技術総合開発機構, 省エネルギー革新開発事業,   2011年07月 - 2014年02月, 松本貴裕 (研究代表者)
  • 波長制御可能な深紫外固体レーザ光源, 科学技術振興機構, 研究成果最適展開支援プログラム (A-STEP),   2013年01月 - 2013年12月, 松本貴裕 (分担責任者)
  • 新炭素系材料を用いた小型電子線・X線源の開発, 環境省, ナノテクノロジーを活用した環境技術開発推進事業,   2004年04月 - 2007年03月, 松本貴裕 (分担責任者)
  • ナノ構造制御Si太陽電池の研究開発, 新エネルギー産業技術総合開発機構, 革新的次世代太陽光発電,   2001年04月 - 2004年03月, 松本貴裕 (分担責任者)

その他

  •   2011年, メゾスコピック材料を用いた電力光無損失変換技術の研究開発, 管理番号20140000000507

社会貢献活動情報

社会貢献活動

  • 静岡大学 電子工学研究所 客員教授, その他, 国立大学法人 静岡大学,   2005年10月01日 - 現在, Visiting Professor, Research Institute of Electronics, Shizuoka University
  • 大阪大学 極限量子科学研究センター 招聘教授, その他, 国立大学法人 大阪大学,   2009年04月01日 - 2014年03月31日, Visiting Professor, Center for Quantum Science and Technology under Extreme Conditions, Osaka university
  • 大阪大学 大学院基礎工学研究科 招聘教授, その他, 国立大学法人 大阪大学,   2014年04月01日 - 2015年03月31日, Visiting Professor, Graduate School of Engineering Science, Osaka university


Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.